如何修改vivi代码使2440支持128M nand flash

我修改了vivi代码，使它支持128M NAND FLASH,现在vivi能够起来，，但是我用，load flash vivi x重新下载vivi后，就无法启动了，我看了源码的nand_erase()和nand_write(),感觉应该是地址和操作的问题，可是我觉得和文档对着，，不知道该怎么办，请斑竹给点建议。。。

抱歉，我猜不到你是怎么改的

我主要修改了nand_read.c文件中的nand_read_ll()这个函数，因为head.s调用这个函数，我改了操作方式，            
           NFCMD = 0;
        
                     NFADDR = 0x0;
        NFADDR = 0x0;
        NFADDR = (i >> 11) & 0xff;
        NFADDR = (i >> 19) & 0xff;
                    NFCMD=0x30;
然后就是修改了每页的大小的那个宏，现在vivi能跑起来，，但是，load命令用不了，一烧完就起不来了，我用sourceinsight跟踪代码，感觉就是nand_erase()和nand_write()这两个函数的问题,版主能不能给点意见。。

我的建议是去对比512 page size和2048 page size的NAND Flash datasheet, 找出erase和program时两种Flash的命令，地址时序不同，然后相应的调整nand_erase()和nand_write()

我也是这个思路，，我已经对比过这两个芯片手册了，他们的erase和write命令是一样的的，至于地址时序问题,感觉是一样的，我再仔细看看。。

版主，我现在用vivi烧写vivi已经可以了，但是烧写内核时却出现以下的信息
Downloaded file at 0x30000000, size = 1753088 bytes
Found block size = 0x001c0000
Erasing...   nand_erase(): Unaligned address
... failed
Unaligned address是什么意思呢？是没有对齐吗，难道这个和vivi中kernel的起始地址还有关？请斑竹指点一下。。

2048 page size的NAND Flash的block size应该是2048 * 64 = 128K， 因为NAND Flash擦除的最小单位是一个block，所以擦除操作的起始地址必须是128K对齐的（相对于NAND Flash的偏移量）。

也是就说，我在vivi分区时，，必须把vivi,kernel,root的offset地址对齐128k,我的内核的offset是0x00050000,这个地址是不行的，是这个意思吗？

是的，因为写内核之前必须擦除内核镜像所在的NAND Flash区域，这块区域的起始地址和长度必须是128K对齐的

版主，现在我把内核和文件系统都烧进去了，，然后引导，又出现了这样的问题： <0>Kernel panic - not syncing: Attempted to kill init!，我在网上查了一下，，也没有解决，另外我想了解一下内核是如何加载文件系统这一流程？是不是需要读内核的启动过程呢？请斑竹给些建议。。。