关于nand flash的运行能力

看到网上说 nand flash 和nor 的区别之一是 前者没有执行能力，后者有。我想问原因是什么呢？ 是nand flash 的接口一般不是并口吗?（那我们的s3c2440是并口的，它有可执行能力吗？）还是物理特性决定的。

然后在一本书上看bootloader的时候，说：“ RO段 是只读的，在运行的时候不可以改变，所以在运行的时候，RO段可以驻留在flash里。RW段是读写的，在运行的时候必须被装载到SDRAM 或SRAM里”。那我想说如果那个flash是 nand的（按照上面的讲法），它怎么能直接运行呢？

不能在nand flash里面运行程序的主要原因是：nand flash没有寻址线，需要特殊的控制器才能与之读写数据，这点也就决定了不能在nand flash里面运行程序咯

恩。懂了。
想在问下。
看到书上说，nand flash必须以page为单位进行读写。但我看看nand flash的写命令是发了4个地址序列（A0~A7,A9~A25）的方式，它肯定能寻址到page里面的内容的，即是有列地址的。那怎么叫 page为单位呢？
同理，nand flash必须以block为单位进行檫除，但它发了3个地址序列(,A9~A25)的方式，这样的话我觉得它能以 page为单位才对啊。

我想你是认为可以字节寻址就可以字节读写了，而不必考虑什么页和块的概念咯。是的应用程序仅仅需要一个字节的数据，可是底层硬件为了一个字节而读和擦除nand flash的一个块！

对于erase来说，NAND Flash的BLOCK ERASE是这样定义的(来自K9F1G08D0M的datasheet)：
BLOCK ERASE
The Erase operation is done on a block basis. Block address loading is accomplished in two cycles initiated by an Erase Setup command(60h). Only address A18 to A27(X8) or A17 to A26(X16) is valid while A12 to A17(X8) or A11 to A16(X16) is ignored.

同样的道理，NAND Flash也只定义了PAGE READ，输出的只会是一个page的数据.

事实上，就算NAND Flash内部可以寻址到字节，但由于没有地址线，CPU不能按字节随机访问数据，而这是执行代码的前提条件。针对NAND Flash的这一特性，有一些存储设备就增加了一个controller来转换CPU的寻址，比如三星的OneNAND，和M-System的DiskOnChip(DOC)系列。