描述：加载的内存缓冲首地址
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当我从sd卡烧写根文件系统的时候，如果根文件系统大于300M，烧写就会出问题。
这里我先说一下，我uboot中烧写根文件系统的个人认识：
uboot烧文件系统的时候
第一步是从SD卡把根文件系统读到内存中
第二步是从内存中写入我们划分好的分区，把它写入到EMMC中的指定根文件系统分区。
那么对于上面的这两个步骤，我的问题出在了第一步，当烧写系统的时候，uboot先从SD卡中读我指定的根文件系统到内存中起始地址为0x5000_0000来，
{
这个地方，samsung默认指定的内存地址为0x5000_0000
对于这个0x5000_0000，为什么为这个地址，我也没找到官方稳定说明
}
前面的读入都很顺利，但读到文件的最后部分时，因为最后的文件大小不足一个block大小
而从SD卡中读，至少需要读入1block大小，所以这个地方，对最后一步的处理是，先开辟一个521字节的数组
然后读到这个数组中来，再把这个数组中，我们的文件最后剩下的真实数据大小，读入到我们指定的内存缓冲去
这个时候，问题出现了，一旦我往这个内存地址后面移动，程序就死了。
也就是说，对于内存0x5000_0000后面的>300M的内存的某个地址，我们不能碰，一旦写入，就会出问题。
于是我分析了下uboot的运行内存情况
uboot在内存中的地址为0x43e0_0000，但对于0x5000_0000以后的内存，我不知道放了些什么
于是我就尝试了下，将缓冲的地址0x5000_0000改为了0x6000_0000，但问题更加严重了，这个在烧系统的时候，连uboot都无法读完，然后程序就死掉了。
所以这个问题一直困扰着我。
希望有知道的人，帮个忙，一起分析下。
另：不知道exynos4412,sansumg有没有提供irom启动的datasheet，如果哪个朋友有的话，麻烦共享下。
谢谢各位！！！
[ 此帖被lihp1603在2014-07-03 17:42重新编辑 ]
